集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備主要有包括光刻技術(shù)及光刻裝備、薄膜生長(cháng)技術(shù)及裝備、化學(xué)機械拋光技術(shù)及裝備、高密度后封裝技術(shù)及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩定性的運動(dòng)控制技術(shù)和驅動(dòng)技術(shù)，對結構件的精度和結構材料的性能提出了極高的要求。

以光刻機中工件臺為例，該工件臺主要負責完成曝光運動(dòng)，要求實(shí)現高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動(dòng)，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線(xiàn)寬為10nm的光刻機，其工件臺定位精度要求達到10nm，掩模硅片同時(shí)步進(jìn)和掃描速度分別達到150nm/s和120nm/s，掩模掃描速度接近500nm/s，并且要求工件臺具有非常高的運動(dòng)精度和平穩性。

總結下來(lái)，就是需要滿(mǎn)足以下條件：高度輕量化、高形位精度、高尺寸穩定性、清潔無(wú)污染，通常該類(lèi)結構件具有“大、厚、空、薄、輕、精”的特點(diǎn)。